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FDMC8321L

N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V,49A,2.5mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

RB088T-40NZ

RB088T-40NZ是面向开关电源的超低IR肖特基势垒二极管。
开关二极管
0 ROHM

GQM1875C2E4R3BB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM033R60J223KE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0335C2A180GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E7R6CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GMA085R71H331MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM219R71C274KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCH0335C1H2R2CE01#

植入式医疗器械设备或医疗器械设备 [GHTF D]
医疗医疗器械
0 MURATA

IDK08G120C5

The  CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 1200 V, 8 A is now available in a D2PAK real 2-pin package. Connecting SiC diodes in parallel and in a small device package, a high efficient system can be achieved while minimizing board space requirement. The elimination of the middle pin reduces a risk of partial discharge at high voltage and high frequency operation.
暂无信息
0 INFINEON

NDS351N

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管,30V,1.1A,250mΩ
开关光电二极管晶体管场效应晶体管
1 ONSEMI

FDP150N10A-F102

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,50A,15mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

GJM0335C1H5R2CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BSC077N12NS3 G

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性,帮助实现优化解决方案。
开关
0 INFINEON

FDD86252

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,27 A,52 mΩ
开关脉冲晶体管
0 ONSEMI