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    FDD120AN15A0

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET，150V，14A，120mΩ
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    RFNL10BGE6S

     RF501BGE2S是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速恢复二极管。适合一般整流及PFC用途（电流临界模式）。
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    GCM0335C1ER43WA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    IMBF170R450M1

     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
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    GCM1555C1H820JA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GRM0225C1C5R9DA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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