P4C1026
超高速256K ×4
静态CMOS RAM
特点
全CMOS , 6T细胞
高速(平等机会和循环时间)
- 15/20/25/35 NS (商业/工业)
- 20/25/35 NS (军事)
低功耗
单5V ± 10 %电源
数据保留与2.0V电源
三态输出
TTL / CMOS兼容输出
充分TTL兼容输入
标准引脚( JEDEC批准)
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚400密耳SOJ
- 28引脚400密耳陶瓷DIP
- 32引脚陶瓷LCC
描述
该P4C1026是1兆超高速静态RAM
组织为256K X 4, CMOS存储器不需要时钟
或清新,有平等的机会和循环时间。输入
和输出完全兼容TTL 。的RAM运行
从单一5V ± 10 %容差的电源。带电池
备份,数据的完整性得以维持为电源电压的下降
至2.0V 。
存取时间快15纳秒是可用的,
允许大大提高系统速度。 CMOS是
用于减少功率消耗。
该P4C1026可在一个28引脚300万和400万SOJ
包,以及陶瓷DIP和LCC封装,
提供优良的板级密度。
功能框图
引脚配置
SOJ (J5 , J7 ) ,DIP (C7)
LCC(L13)
文档#
SRAM127
REV ê
1
修订后的2007年4月