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P4C1024-15P3I 参数 Datasheet PDF下载

P4C1024-15P3I图片预览
型号: P4C1024-15P3I
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内容描述: 高速128K ×8 CMOS静态RAM [HIGH SPEED 128K X 8 CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 224 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1024  
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED  
Temperature  
Symbol  
Parameter  
-15 -20 -25 -35 -45 -55 -70 -85 -100 -120 Unit  
Range  
Commercial  
190 160 150 145 N/A N/A N/A N/A N/A N/A  
N/A 175 165 160 155 N/A N/A N/A N/A N/A  
N/A 150 140 135 130 125 115 110 105 100  
mA  
mA  
mA  
ICC  
Dynamic Operating Current*  
Industrial  
Military  
*VCC = 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE1 = VIL, CE2 = VIH, OE = VIH  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C1024L, Military Temperature Only)  
Typ.*  
VCC=  
Max  
2.0VCC 3.0V  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
V =  
Unit  
2.0V  
3.0V  
VDR  
ICCDR  
VCC for Data Retention  
Data Retention Current  
2.0  
V
µA  
50  
200  
400  
600  
CE1 VCC – 0.2V or  
CE2 0.2V, VIN VCC – 0.2V  
or VIN 0.2V  
tCDR  
Chip Deselect to  
Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
ns  
ns  
§
tR  
tRC  
*TA = +25°C  
§
tRC = Read Cycle Time  
This parameter is guaranteed but not tested.  
DATA RETENTION WAVEFORM  
Document # SRAM124 REV A  
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