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    P4C1023L-55CWI 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023L-55CWI图片预览
    型号： P4C1023L-55CWI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C1023L-55CWI的Datasheet PDF文件第11页  
    P4C1023/P4C1023L  
    DATA RETENTION  
    Symbol  
    Test Conditions  
    CE ≥ VCC -0.2V,  
    VIN ≥ VCC -0.2V or VIN ≤ 0.2V  
    DR = 2.0V  
    Min  
    Unit  
    Parameter  
    Max  
    VDR  
    2.0  
    5.5  
    V
    VCC for Data Retention  
    Data Retention Current  
    V
    50  
    µA  
    µA  
    ICCDR  
    100  
    VDR = 3.0V  
    Chip Deselect to Data  
    Retention Time  
    0
    ns  
    ns  
    tCDR  
    tR  
    See Retention Waveform  
    tRC  
    Operating Recovery Time  
    1. CE1 ≥ VDR -0.2V, CE2 ≥ VDR -0.2V or CE2 ≤ 0.2V; or CE1 ≤ 0.2V, CE2 - 0.2V; VIN ≥ VDR -0.2V or VIN ≤ 0.2V  
    LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM  
    Document # SRAM126 REV OR  
    Page 7 of 11  

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