P3C1256L5506ILF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	P3C1256L5506ILF
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内容描述：	[LOW POWER 32K x 8 STATIC CMOS RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 760 K
品牌：	PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

P3C1256L - 32K x 8 STATIC CMOS RAM

DATA RETEꢀTIOꢀ CHARACTERISTICS

Typ.*

V_CC

Max

V_CC=

Sym

Parameter

Test Conditions

Min

Unit

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

V_DR

V_CCfor Data Retention

Data Retention Current

2.0

I_CCDR

120

µA

CE ≥ V_CC- 0.2V,

V_IN≥ V_CC- 0.2V

or V_IN≤ 0.2V

Chip Deselect to Data Reten-

tion Time

t_CDR

†

t_R

Operation Recovery Time

t_RC

* TA = +25°C

t_RC^§= Read Cycle Time

† = This parameter is guaranteed but not tested.

DATA RETEꢀTIOꢀ WAVEFORM

Document # SRAM143 REV A

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