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P3C1024L55SI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1024L55SI图片预览
型号: P3C1024L55SI
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内容描述: 超低功耗128K ×8 CMOS静态RAM [ULTRA LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 114 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1024L  
DATA RETENTION  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Unit  
Parameter  
Max  
CE1 VCC -0.2V, CE2 0.2V,  
VIN VCC -0.2V or VIN 0.2V  
VDR  
VCC for Data Retention  
Data Retention Current  
2.0  
V
(1)  
ICCDR  
VDR = 2.0V  
10  
µA  
Chip Deselect to Data  
Retention Time  
tCDR  
See Retention Waveform  
0
ns  
µs  
Operating Recovery Time(2)  
100  
tR  
1. CE1 VDR -0.2V, CE2 VDR -0.2V or CE2 0.2V; or CE1 0.2V, CE2 - 0.2V; VIN VDR -0.2V or VIN 0.2V  
2. VCC ramp from VDR to VCC (min) > 100 µs for full device operation.  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM 1 (CE1 CONTROLLED)  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM 2 (CE2 CONTROLLED)  
Document # SRAM132 REV OR  
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