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FDY4000CZ

互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V
PC开关光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GRT188R61A105KE01#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

GJM0225C1C7R5DB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM033B11A272KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NFM31PC276B0J3#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
2 MURATA

FDB8447L

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,8.5mΩ
PC开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

R6524KNJ

R6524KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
开关
0 ROHM

GRT0335C1E471FA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDMS2734

N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,250V,14A,122mΩ
暂无信息
1 ONSEMI

ISP26DP06NMS

OptiMOS™ P-channel small signal MOSFETs 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Enabling fast switching, avalanche ruggedness and an easy interface to microcontroller unit (MCU), also featuring a very low on-resistance RDS(on). It is available in logic level.
暂无信息
0 INFINEON

PMEG6030EP

60 V, 3 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
功效光电二极管
0 NEXPERIA

GRM0222C1E9R0BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E5R4CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1884C2AR90BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM1555C2D9R1BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA