SUBASSEMBLY
单相AC控制器
组件
初步数据表
PSW1C50
I
RMS
= 50 A
V
RRM
= 800-1600 V
V
RSM
V
帝斯曼
(V)
900
1300
1500
1700
V
RRM
TYPE
V
DRM
(V)
800 PSW1C 50/08
1200 PSW1C 50/12
1400 PSW1C 50/14
1600 PSW1C 50/16
符号
I
RMS
I
真有效值
I
TAVM
I
TSM
测试条件
T
C
= 85°C ; 50-400Hz （每相）
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85 °C;
T
VJ
= 45 °C
V
R
= 0
V
R
= 0
T
VJ
= 45 °C
V
R
= 0
V
R
= 0
180 °正弦波
最大额定值
50
36
23
520
570
460
500
1350
1350
1050
1030
150
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A²s
A²s
A / μs的
特点
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
•
•
•
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
T
VJ
= 125°C T = 10毫秒
∫
I DT
2
应用
•
固态继电器
T
VJ
= 125°C T = 10毫秒
优势
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= 125°C的重复，我
T
= 150 A
F = 50Hz的，T
P
=200µs
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=0.3 A
非重复性的，我
T
= I
TAVM
•
•
•
•
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小，重量轻
500
1000
≤
≤
10
5
0.5
10
-40... + 125
125
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
g
di
G
/dt=0.5A/µs
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
重量
T
VJ
= 125°C V
D
=2/3V
DRM
R
GK
=
∞,
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
• 125 ° （C T）
P
=30µs
I
T
=I
TAVM
t
P
=300µs
典型值。
-40... + 125
8
根据IEC 60747的数据指的是单个晶闸管，除非另有说明
2005年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司， Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话： 09122 - 9764 - 0传真： 09122 - 9764 - 20
POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
