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PSHI5006 参数 Datasheet PDF下载

PSHI5006图片预览
型号: PSHI5006
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内容描述: IGBT模块的H桥配置 [IGBT Module H-Bridge Configuration]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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PSHI 50/06  
90  
90  
A
A
IC  
IC  
VGE = 17 V  
VGE= 17V  
60  
45  
30  
15  
0
60  
45  
30  
15  
0
15 V  
15V  
13 V  
TJ = 25°C  
13V  
11V  
11V  
TJ = 125°C  
9V  
9V  
25T60  
25T60  
V
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
V
6
VCE  
VCE  
Fig. 1 Typ. output characteristics  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
90  
90  
A
60  
45  
30  
15  
0
A
IF  
VCE = 20V  
IC  
60  
45  
30  
15  
0
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
25T60  
25T60  
V
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
4
6
8
10  
12  
14 V 16  
VF  
VGE  
Fig. 3 Typ. transfer characteristics  
Fig. 4 Typ. forward characteristics of  
free wheeling diode  
50  
A
30  
20  
10  
0
150  
20  
V
1
ns  
trr  
trr  
15  
IRM  
VGE  
90  
60  
30  
0
10  
5
TJ = 125°C  
V
R = 300 V  
IF = 30 A  
IRM  
25T60  
25T60  
0
nC  
0
200  
400  
600  
-di/dt  
A/µs 1000  
0
120  
QG  
160  
Fig. 5 Typ. turn on gate charge  
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of  
free wheeling diode  
2002 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20