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PSHI25-06 参数 Datasheet PDF下载

PSHI25-06图片预览
型号: PSHI25-06
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内容描述: IGBT模块的H桥配置 [IGBT Module H-Bridge Configuration]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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PSHI 25/06  
50  
A
40  
50  
A
40  
IC  
IC  
VGE= 17V  
VGE= 17V  
15V  
30  
20  
10  
0
30  
20  
10  
0
13V  
15V  
13V  
11V  
11V  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
9V  
9V  
14T60  
14T60  
V
0
1
2
3
4
V 5  
0
1
2
3
4
5
VCE  
VCE  
Fig. 1 Typ. output characteristics  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
50  
50  
A
40  
A
40  
IF  
IC  
30  
20  
10  
0
30  
20  
10  
0
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
VCE = 20V  
TJ = 125°C  
6
TJ = 25°C  
10  
14T60  
14T60  
V
0
1
2
3
4
8
12  
VGE  
14 V 16  
VF  
Fig. 3 Typ. transfer characteristics  
Fig. 4 Typ. forward characteristics of  
freewheelingdiode  
40  
120  
ns  
20  
V
trr  
A
30  
90  
60  
30  
0
15  
10  
5
VGE  
V
CE = 300V  
=
IRM  
TJ = 125°C  
R = 300V  
IF = 15A  
IC 15A  
V
20  
10  
0
IRM  
14T60  
14T60  
0
nC  
80  
0
200  
400  
600  
-di/dt  
A/µs 1000  
0
20  
40  
60  
QG  
Fig. 5 Typ. turn on gate charge  
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of  
freewheelingdiode  
2003 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20