欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

DI-124 参数 Datasheet PDF下载

DI-124图片预览
型号: DI-124
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超宽输入范围( 57-580 VAC )反激式电源 [Ultra-wide Input Range (57-580 VAC) Flyback Power Supply]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 341 K
品牌: POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
 浏览型号DI-124的Datasheet PDF文件第2页  
设计DI -124
使用LinkSwitch -TN
应用
测光/工业
设备
LNK304
®
超宽输入范围( 57-580 VAC )反激式电源
电源输出
3W
输入电压
57-580 VAC
输出电压
12 V , 250毫安
拓扑
StackFET反激式
设计亮点
StackFET
TM
反激式拓扑结构上提供了满负荷
极宽的输入电压范围
E-盾
TM
变压器的结构,可降低
共模EMI ( >10 dBμV的裕)
66 kHz的开关频率与抖动降低
传导EMI
简单的ON / OFF控制 - 没有反馈补偿
需要
自动重启动功能,自动和自复位
开环,过载和短路保护
内置迟滞热关断在135 ºC
一个600 V MOSFET ,Q1和U1被安排在
StackFET
CON组fi guration (级联) 。 U1的漏极驱动源
Q1 ,而Q1的漏极驱动变压器初级。
U1的漏极电压由VR1-3限于450 V 。这
延伸U1的最大峰值复合漏极电压
和Q1到1050 V.电阻链R6 - R8提供了启动
收取Q1的栅极和R9衰减高频
响。一旦转换器工作时,门基本上是
由存储在VR1-3的电容中的电荷驱动。
齐纳VR4限制了栅极到源Q1的电压。泄漏
电感的能量由VR5和D9夹紧与R10添加
减少振铃,由此,电磁干扰。
U1的操作不受该
StackFET
CON组fi guration 。当内部MOSFET导通, Q1还
导通时,在变压器施加输入电压
主要的。一旦初级电流达到内部电流
U1的极限时,MOSFET被关断并且能量存储
被传递到输出端。调节使用维护
ON / OFF控制。开关周期被启用/禁用基于
目前入U1的反馈引脚。这是理想的
它导致了降低的有效开关频率的
C1
2.2 nF的
250 V交流
手术
AC输入整流器版和网络过滤的,所得DC
施加到变压器的初级绕组的一端。该
450 V输入电容堆放着平行的平衡
电阻,以满足所要求的额定电压。电阻R1〜
R4提供融合的情况下发生灾难性故障。感应器
L1,C1和变压器
E-盾
绕组允许设计
为满足EN55022 B传导具有良好的利润率限制。
D1
1N4007
D2
1N4007
D3
1N4007
D4
1N4007
C5
15
µF
450 V
J1
J2
J3
J4
R1
10
1 W
R2
10
1 W
R3
10
1 W
R4
10
1 W
D5
1N4007
D6
1N4007
D7
1N4007
D8
1N4007
R13
475 kΩ
1%
0.5 W
C6
15
µF
450 V
C9
5.6 nF的
1千伏
C8
15
µF
450 V
R14
475 kΩ
1%
0.5 W
R6
680 kΩ
0.5 W
R7
680 kΩ
0.5 W
VR5
P6KE150A
D9
UF4007
EEL16
NC
4
5
7
9
10
T1
1
D10
UF4004
L2
铁氧体磁珠
J5
C7
15
µF
450 V
R15
475 kΩ
1%
0.5 W
R16
475 kΩ
1%
0.5 W
R10
R8 200
680 kΩ 1%
0.5 W
R9
10
VR4
1N5245B
15 V
U1
LNK304P
VR2
P6KE150A
VR3
P6KE150A
S
C2
470
µF
16 V
C3
100
µF
16 V
J6
Q1
IRFBC20
R11
330
D
R5
1k
L1
1毫亨
VR1
P6KE150A
FB
BP
U2B
PC817A
U2A
PC817A
R12
1 kΩ
C4
100 nF的
50 V
VR6
BZX79-C11
11 V
PI-4487-081506
图3 W偏置电源1.原理图使用的LinkSwitch- TN的StackFET CON组fi guration 。
DI-124
2006年9月