设计DI -118
的TinySwitch -III
应用
充电器
设备
TNY276P
®
为4.5 W恒压/恒流充电器<260毫瓦
空载功耗
电源输出
4.5 W
输入电压
90-265 VAC
输出电压
5.7 V， 800毫安
拓扑
反激式
设计亮点
•
•
•
•
•
•
•
简单，低成本，低元件数的CV / CC解决方案
低输入功率空载： <260毫瓦在265 VAC
英法fi效率在90 VAC >65 ％
符合CEC主动/能源之星的要求
模英法fi效率（ 66.8 ％比62.6 ％的要求）
采用体积小，成本低EE16磁芯尺寸紧凑的设计
>15 dBμV的裕EN55022B传导EMI限值
无Y电容： <10
µA
行频漏电流
当初级电流达到MOSFET的电流限制，
所述控制器将其关闭，并在T1中的能量被转移
到输出端。肖特基二极管D6和电容C5整流
和滤波器的输出。电感L3和电容C7衰减
输出上的开关纹波。
主夹具（ D5， R 2， C 4和R 1）限制了最大
峰值漏极电压低于700 V BV
DSS
评级
内部MOSFET 。电阻R2降低高频
漏感振荡，从而EMI。紧
U1的控制公差允许这种配置仍然
满足低空载输入功率电平。
由C1， L1，L2和C2组成的pI滤波器衰减传导
EMI干扰， C8和R8在次级侧上减少高
高频振铃。集成的频率抖动功能
随着U1的
E-盾
TM
技术允许这种简单的
EMI滤波网络，以确保符合EN55022B ，甚至
没有在初级Y电容来辅助
隔离屏障。
输出采用光耦反馈调节。
在CV工作期间，参考IC U3检测输出
C8
1 nF的R8
50 V 10
Ω
1
NC数控
10
D6
SB260
R4
100
Ω
手术
在图1所示的CV / CC充电器电路设计
作为一个反激式转换器，采用TNY276P （ U1 ） 。该装置
有四个源引脚的8引脚封装的一侧，
这简化网络上课的PCB铜散热的布局。
此外， C3的值选择降低电流限制
的U1 。这两个因素使U1从内部提供全功率
一个密封的外壳，在外部环境温度
40
°C.
在不太热有挑战性的应用中， TNY275P
在其标准电流限制操作（ C3 = 0.1
µF)
可能是
用于降低成本，而没有任何其他的变化。
在U1内部MOSFET导通电流通过
T1的每个启用的开关周期内初级绕组。
L1
1毫亨
D1
1N4005
RF1
8.2
Ω
2.5 W
90-265
VAC
D3
1N4005
D2
1N4005
C4
1 nF的
1千伏
C2
4.7
µF
400 V
R2
100
Ω
D5
1N4007GP
D4
1N4005
L2
铁素体
珠子
D
S
S
C5
470
µF
10 V
R3
1.2
Ω
2W
L3
铁氧体磁珠
3.5 × 7.6 mm
C7
100
µF
10 V
5.7 V,
800毫安
R1
200 kΩ
2
3,4
T1
EE16
7
C1
4.7
µF
400 V
RTN
U2-B
的TinySwitch -III
U1
TNY276P
EN / UV
BP / M
R7
13.7 kΩ
1%
C6
100 nF的
50 V
R5
1 kΩ
C3
1
µF
50 V
U2-A
PC817A
U3
TL431
R6
10 kΩ
1%
PI-4422-051006
图1： 4.5 W， 5.7 V CV / CC充电器使用TNY276P 。
DI-118
2006年9月
POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
