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C30737E-230 参数 Datasheet PDF下载

C30737E-230图片预览
型号: C30737E-230
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内容描述: 外延硅雪崩光电二极管 [Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 98 K
品牌: PERKINELMER [ PERKINELMER OPTOELECTRONICS ]
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C30737 Series  
Electrical Characteristics  
Hermetic Package  
C30737E-500  
Typ  
C30737E-230  
Typ  
Min  
Max  
200  
Min  
Max  
200  
Unit  
mm  
0.23  
160  
0.5  
160  
100  
50  
Diameter  
Breakdown Voltage  
Gain @ 800nm  
Volts  
100  
Responsivity @ 800nm  
Temperature Coefficient (constant gain)  
Dark Current  
50  
A/W  
V/°C  
nA  
0.6  
0.6  
15  
10  
Noise Current: f=10kHz, F=1.0KhZ  
Capacitance  
0.2  
0.3  
3
pA/Hz  
pF  
1.5  
Rise Time  
<0.3  
0.3  
nsec  
Plastic Package  
C30737P-500  
C30737P-230  
Typ  
Min  
Max  
Min  
Typ  
0.5  
160  
100  
45  
Max  
200  
Unit  
mm  
0.23  
160  
Diameter  
Breakdown Voltage  
Gain @ 800nm  
200  
Volts  
100  
Responsivity @ 800nm  
Temperature Coefficient (constant gain)  
Dark Current  
45  
A/W  
V/°C  
nA  
0.6  
0.6  
15  
10  
Noise Current: f=10kHz, F=1.0KhZ  
Capacitance  
0.2  
0.4  
3.4  
0.3  
pA/Hz  
pF  
1.5  
Rise Time  
<0.3  
nsec  
Absolute Maximum Ratings  
Hermetic Package  
C30737E-500  
Typ  
C30737E-230  
Typ  
Min  
-55  
-30  
Max  
100  
85  
Min  
-55  
-30  
Max  
100  
85  
Unit  
°C  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
°C  
Plastic Package  
C30737P-500  
C30737P-230  
Typ  
Min  
-40  
-20  
Max  
85  
Min  
-40  
-20  
Typ  
Max  
85  
Unit  
°C  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
70  
70  
°C  
optoelectronics.perkinelmer.com  
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