FM120 -N THRU FM1100 -N
芯片肖特基整流器
1.0A表面贴装肖特基整流器 - 20V- 100V
SOD-323
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
0.016 （ 0.4 ）典型值。
0.016 （ 0.4 ）典型值。
特点
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
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更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
非常小的塑料SMD封装。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 323
•
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
方法2026
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.008克
最大额定值
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
（在T
A
=25
o
C除非另有说明）
条件
见图1
8.3ms单半正弦波叠加
率负荷（ JEDEC梭）
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
O
C
V
R
= V
RRM
T
A
= 125 C
结到环境
F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
O
符号
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
30
0.5
10
单位
A
A
反向电流
热阻
二极管的结电容
储存温度
mA
O
90
120
-65
+175
C / W
pF
O
C
符号
FM120-N
FM130-N
FM140-N
FM150-N
FM160-N
FM180-N
FM1100-N
*1
V
RRM
(V)
20
30
40
50
60
80
100
V
RMS
*2
(V)
14
21
28
35
42
56
70
*3
V
R
(V)
20
30
40
50
60
80
100
*4
V
F
(V)
操作
温度
T
J
, (
O
C)
* 1重复峰值反向电压
-55到+125
0.55
* 2 RMS电压
* 3连续反向电压
0.70
-55到+150
0.85
* 4最大正向电压
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