砷化镓Infrarot - Lumineszenzdiode （ 950纳米， 300微米Kantenlänge ）
的GaAs红外发光二极管（ 950纳米， 12密耳）的
˚F 0094U
˚F 0094V
Vorläufige （千牛顿） /初步数据
Wesentliche Merkmale
•典型。 Gesamtleistung ： 15毫瓦@百毫安IM
TOPLED
®
Gehäuse
• Chipgröße 300 ×300
µm
2
•砷化镓LED MIT雅适hohem Wirkungsgrad
•固特Linearität （我
e
=
f
[
I
F
] ）北霍恩Strömen
• Gleichstrom-奥德Impulsbetrieb möglich
•霍厄Zuverlässigkeit
•霍厄Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb ， Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• “梅森/ Steuern / Regeln ”
• Automobiltechnik
• SENSORIK
•闹钟 - UND Sicherungssysteme
• IR- Freiraumübertragung
典型值
TYPE
˚F 0094U
Bestellnummer
订购代码
根据要求
特点
•典型。总辐射功率： 15毫瓦@ 100 mA，分
TOPLED
®
包
•芯片尺寸300 ×300
µm
2
•非常高效的GaAs LED
•良好的线性关系（我
e
=
f
[
I
F
] ）在高电流
•直流或脉冲操作是可能的
•高可靠性
•高脉冲处理能力
应用
•微型光断续器
•
•
•
•
•
•
Gehäuse
包
Infrarot emittierender芯片， Oberseite Anodenanschluß ，
Oberfläche aufgerauht
红外发光管芯，顶侧的阳极连接，表面
磨砂
Infrarot emittierender芯片， Oberseite Anodenanschluß
红外发光管芯，顶侧的阳极连接
工业电子产品
驱动器和控制电路
汽车技术
传感器技术
报警及安全设备
红外自由的空气传播
˚F 0094V
Q67220-C1268
2002-02-04
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
