GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil)
F 0094U
F 0094V
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im
TOPLED
®
Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300
µm
2
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
F 0094U
Bestellnummer
Ordering Code
on request
Features
• Typ. total radiant power: 15 mW @ 100 mA in
TOPLED
®
package
• Chip size 300 x 300
µm
2
• Very highly efficient GaAs LED
• Good linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC or pulsed operations are possible
• High reliability
• High pulse handling capability
Applications
• Miniature photointerrupters
•
•
•
•
•
•
Gehäuse
Package
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Oberfläche aufgerauht
Infrared emitting die, top side anode connection, surface
frosted
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß
Infrared emitting die, top side anode connection
Industrial electronics
Drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
F 0094V
Q67220-C1268
2002-02-04
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
