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BPX81-2/3 参数 Datasheet PDF下载

BPX81-2/3图片预览
型号: BPX81-2/3
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内容描述: NPN - Silizium - Fototransistor [NPN-Silizium-Fototransistor]
分类和应用: 光电静态存储器
文件页数/大小: 6 页 / 171 K
品牌: OSRAM [ OSRAM GMBH ]
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BPX 81
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.25
0.50
1.4
5.5
0.40
0.80
2.2
6
0.63
3.4
8
mA
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
2001-02-21
4