BP 103
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
λ
420 … 1130
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.12
mm2
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.5 × 0.5
0.2 … 0.8
± 55
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
mm
H
Halbwinkel
Half angle
ϕ
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
IPCB
IPCB
0.9
2.7
µA
µA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light a
V
CB = 5 V
Kapazität
Capacitance
V
V
V
CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CCE
CCB
CEB
8
11
19
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
ICEO
5 (≤ 100)
nA
V
CE = 35 V, E = 0
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
