Version 2.1 (not for new design)
LE RTDUW S2W
Kennwerte
Characteristics (TS = 25 °C; IF = 700 mA)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
red
true
green
deep
blue
ultra
white
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
(typ.) λpeak
nm
632
520
449
Dominantwellenlänge*3)
(min.) λdom
(typ.) λdom
(max.) λdom
620
625
632
521
527
533
449
453
457
nm
nm
nm
Seite 23
Dominant wavelength*3) page 23
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max
(typ.) ∆λ
nm
18
33
25
Farbkoordinate x nach CIE 19313) Seite 23(typ.) x
0.31
0.32
–
–
Chromaticity coordinate x acc. to CIE
1931*3) page 23
y
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % ΙV
Ι
V (Vollwinkel) (typ.) 2
ϕ
120
Grad
deg.
Durchlassspannung pro Chip4)
(min.) VF
(typ.) VF
(max.) VF
2.10
2.50
2.90
2.90
3.60
4.20
2.90
3.45
4.00
2.90
3.45
4.00
V
V
V
Seite 23
Forward voltage per chip4) page 23
Sperrstrom
Reverse current
(max.) IR
not designed for
reverse operation
µA
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
(typ.) A
2.1 x 2.1
mm²
Partieller Lichtfluss
Partial flux acc. CIE 127:2007
(typ.) ΦE/V, 120°
0.82
(ΦE/V 120° = x * ΦE/V 180°
)
Thermal resistance junction / solderpad
Wärmewiderstand Sperrschicht / solderpad
Rth JS real
Rth JS real
1.8 (typ.)
2.3 (max.)
K/W
K/W
Thermal resistance junction / solderpad**
Wärmewiderstand Sperrschicht / solderpad** Rth JS el
nLED = 23 %
Rth JS el
1.4 (typ.)
1.8 (max.)
K/W
K/W
(all chips operated simultaneously)
*
Einzelgruppen siehe Seite 5
Individual groups on page 5
** Rth basiert auf statistischen Werten
Rth is based on statistic values
2017-06-26
4
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
