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    FJB5555TM

     NPN 硅晶体管
    晶体管
    1 ONSEMI

    GJM0335C1H5R7BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FJL6920TU

     NPN型三重扩散平面硅晶体管
    局域网放大器晶体管
    0 ONSEMI

    GCE188R72A822KA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM155R60J154ME01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    74AUP1G58L6X

     双输入、低功耗、通用可配置逻辑门
    暂无信息
    0 ONSEMI

    FDMC8321L

     N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，49A，2.5mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    PMEG6030EP

     60 V, 3 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
    功效光电二极管
    0 NEXPERIA

    FDY3000NZ

     双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，0.6A，700mΩ
    开关光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GCM3195G2A512GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0335C2A3R0WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    SCT4045DR

     SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
    开关栅驱动驱动器
    1 ROHM

    PEMD16

     50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩProduction
    开关光电二极管晶体管
    0 NEXPERIA

    IPWS65R050CFD7A

     50mOhm IPWS65R050CFD7A，采用 TO-247-3 短引线封装，是通过汽车级认证的 650V CoolMOS™ 超结功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A它在提高设计灵活性的同时，也提高了可靠性和功率密度
    暂无信息
    0 INFINEON

    GRM0335C2A5R7DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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