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功能说明
1.启动
这个装置包括一个高电压启动电流源，连接于所述装置的软件。一旦将电压施加于所述输入
该转换器，这个启动电流源被激活，并且只要VCC低于VSTART低VCC电容充电。当到达
VSTART ，该启动电流源是由UVLO&TSD切断，器件开始通过接通和断开它的主功率MOSFET的工作。
随着COMP引脚没有收到任何电流从光耦合器，该器件工作在全电流容量和输出电压上升
直到达到调节点在二次回路开始发送电流在光电耦合器。在这点上，转换器进入一
规范运作，其中COMP引脚接收提供正确的电源二次侧电流所需的量。
图1电路启动
2.反馈
反馈引脚控制设备的操作。不像使用电压输入传统的PWM控制电路，在COMP引脚
敏感的电流。
图2
呈现内部电流模式结构。在功率MOSFET提供了一个检测电流，它正比于
主电流。 R 2接收该电流与电流从COMP引脚来。 R2两端VR2，用电压进行比较，以一个固定的
基准电压。在MOSFET关断时， VR2等于参考电压。
3.前沿消隐（ LEB ）
在内部检测FET导通的瞬间，通常存在高的电流峰值，通过意识场效应管，所造成的初级侧
电容和次级侧整流二极管的反向恢复。检测电阻两端电压过高，会导致错误的反馈
操作中的电流模式PWM控制。为了抵消这种效果，该设备采用了前沿消隐（ LEB）电路。该电路抑制
PWM比较器的时间很短（通常为500ns ）感FET之后被接通。
4.欠压锁定
一旦故障发生，将被关断及Sense FET保持关闭。这将导致VCC下降。当VCC达到UVLO
停止电压，
9V,
保护被复位，内部高压电流源充电VCC电容。当VCC达到UVLO
启动电压， 15.5V ，该装置将恢复其正常操作。在这种方式中，自动重启可以交替地启用和禁用的开关
功率场效应管检测，直到故障消除。
5.热关断（ TSD ）
感FET和控制用IC被集成在同一个芯片上，这样便于控制IC检测到检测的温度
FET 。当温度超过约170℃ ，热关断被激活时，该装置关闭传感FET和高
电流源充电VCC 。该设备将回到工作达到约140℃的门槛较低温度时。
6，过电压保护（ OVP ）
在发生故障时，在二次侧的反馈回路，或反馈回路的开通过焊料的缺陷引起，所述电流通过光耦
耦合晶体管几乎变为零。因为过量的能量被提供给所述输出端，所述输出电压有可能超过额定电压，
导致在次级侧上的器件的击穿。为了防止这种情况，一个过电压保护（OVP）电路是
聘用。如果VCC超过42V ，过压保护电路被激活导致终止的切换操作。为了避免不希望的活化
在正常操作期间的OVP的， VCC应适当地设计为低于42V 。
DS-RS2012-03
， 2010年7月
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