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APD-1155 参数 Datasheet PDF下载

APD-1155图片预览
型号: APD-1155
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内容描述: 铟镓砷雪崩光电二极管的InGaAs APD与小尺寸与封装 [InGaAs Avalanche PHOTODIODE InGaAs APD with Mini-Size TO Package]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 81 K
品牌: OPTOWAY [ OPTOWAY TECHNOLOGY INC ]
 浏览型号APD-1155的Datasheet PDF文件第2页  
Optoway
铟镓砷雪崩光电二极管
砷化铟镓APD与小尺寸与封装
特点
²
²
²
²
²
²
²
数据传输速率高达2.7 Gbps的
0.9 A / W一般响应
击穿电压: 40V典型
宽的波段: 1260 nm到1620 nm的
案例工作温度: -40 〜85
o
C
密封式2针的金属外壳
2.4毫米小尺寸封装
APD-1150
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APD- 1150系列
****************************************************************************************************************************************************************
APPLICATIONSC
接收机支持,性能高达长距离光纤光学通信系统2.7 Gb / s数据
率, -40到85
o
C工作温度。
电气和光学特性(TC = 25℃ )
符号
参数
检测范围
V
BR
V
OP
dV
BR
/ DT
Idark
R
C
BW
击穿电压
工作电压
温度COEF网络cient
击穿电压
暗电流
响应
电容
带宽
λ
Idark=10µA
最佳灵敏度
0.06
V
R
=0.9 V
BR
λ=1550nm,
M=1
V
R
=0.9 V
BR
, F = 1MHz的
R
L
=50
Ω,
-3分贝, M = 10
2.5
0.85
测试条件
分钟。
1260
35
V
BR
-3
0.07
80
0.9
0.6
典型值。
-
马克斯。
1620
47
V
BR
-2
0.10
100
单位
nm
V
V
V/
o
C
nA
/ W
pF
GHz的
绝对最大额定值( TC = 25
ºC)
符号
I
F
I
R
V
R
T
OPR
T
英镑
参数
APD正向电流
APD反向电流
APD反向电压
工作温度
储存温度
-40
-40
最低
最大
2
3
V
BR
85
85
单位
mA
mA
V
ºC
ºC
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
***************************************************************************************************************************************************************
OPTOWAY科技股份有限公司。
38号,光复南路,胡寇,新竹工业园区,新竹,台湾303
电话: 886-3-5979798
传真: 886-3-5979737
电子邮箱: sales@optoway.com.tw HTTP : // www.optoway.com.tw
3/1/2005 V2.0