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    IPB018N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.8 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
    暂无信息
    5 INFINEON

    GRM0332C1E6R1BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     R6524KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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    GJM1555C1H1R8JB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM216R71E152JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    STMFSC3D1N08M7

     MOSFET - PowerTrench®, N-Channel, Dual Cool®, Shielded Gate, 80 V, 110 A, 3.1 mΩ
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