硅光电晶体管和达林顿照片
在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度
(1)
集电极 - 发射极电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
发射极 - 集电极电压
集电极电流
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
功耗
(2)
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
-40
o
C至+100
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
260° C
30 V
35 V
5V
20毫安
32毫安
75毫瓦
100毫瓦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
输入二极管
I
C（ ON）
通态集电极电流
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
集电极 - 发射极饱和电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
发射极 - 集电极击穿电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
上升和下降时间
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
0.1
10.0
-
-
-
30
35
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.3
1.0
100
-
V
CE
= 5.0 V，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
V
CE
= 5.0 V，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
I
C
= 100 μA ，E
E
= 1.0毫瓦/平方厘米
2 (3)
I
C
= 1毫安，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
V
CC
= 5.0 V
(4)
I
C
= 100 μA ，E
E
= 0
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
mA
V
CE （ SAT ）
I
首席执行官
V
BR （ CEO）
V
nA
V
V
BR （ ECO ）
-
-
15
50
-
-
-
60
V
I
E
= 100 μA ，E
E
= 0
I
C
= 100 μA ，E
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
L
= 1KΩ
I
C
= 1毫安，R
L
= 1KΩ
t
r,
t
f
µs
注意事项：
1.焊接时间不超过5秒，在极端的温度。
2.线性降额在2.17毫瓦/ ° C以上25 ° C。
3.光源是未过滤的GaAs为935纳米的峰值发射波长和辐射强度水平而变化较少LED
比过光电晶体管的整个镜片表面的10％被测试。
4.计算典型集电极暗电流μA ，采用制定我
首席执行官
= 10
(0.04 t - ¾)
，其中t
A
为环境温度，单位为° C。
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A.4问题
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