高可靠性Hallogic霍尔效应传感器
OMH090 OMH3019 ， OMH3020 ， OMH3040 ， OMH3075 ，
OMH3131 （ B，S版本）
电气特性
(V
CC
= 4.5 V至24 V ，T
A
= 25
° C
除非另有说明）
OMH3075 ， OMH3075B ， OMH3075S双极锁存
符号
B
OP
B
RP
B
H
I
CC
V
OL
I
OH
t
r
t
f
参数
磁操作点
(1)
磁脱扣点
磁滞
电源电流
输出饱和电压
输出漏电流
输出上升时间
输出下降时间
民
50
25
-250
-275
100
50
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
150
-
-150
-
200
-
4
-
-
100
-
0.10
0.21
0.10
最大
250
275
-50
-25
500
-
7
8
500
400
400
1.0
1
1
单位
高斯
高斯
高斯
mA
mV
µA
µs
µs
测试条件
+25°C
-55°C & + 125°C
+25°C
-55°C & + 125°C
+25°C
-55°C & + 125°C
+ 25 ° C，V
CC
= 24 V ，输出上，B
≤
250高斯
-55°C & + 125°C
-55°C
+ 25 ° C，V
CC
= 4.5 V，I
OL
= 20 mA，且B
≥
250高斯
+125°C
V
CC
= 24 V, V
OUT
= 24 V ，B
≤
250高斯
R
L
= 820
Ω,
C
L
= 20 pF的，V
cc
= 12 V
（保证未测试）
电气特性
(V
CC
= 4.5 V至24 V ，T
A
= 25
° C
除非另有说明）
OMH3131 ， OMH3131B & OMS3131S单极
符号
B
OP
B
RP
B
H
I
CC
V
OL
I
OH
t
r
t
f
参数
磁操作点
(1)
磁脱扣点
磁滞
电源电流
输出饱和电压
输出漏电流
输出上升时间
输出下降时间
民
20
10
10
5
5
5
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
4
100
0.10
0.21
0.10
最大
95
150
85
145
40
145
7
400
10
1
1
单位
高斯
高斯
高斯
mA
mV
µA
µs
µs
测试条件
+25°C
-55 ° C至+ 125°C
+25°C
-55 ° C至+ 125°C
+25°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
= 24 V ，输出上，B > 250高斯
V
CC
= 4.5 V，I
OL
= 15毫安， B
≥
250高斯
V
CC
= 24 V, V
OUT
= 24 V ，B
≤
0高斯
R
L
= 820
Ω,
C
L
= 20 pF的，V
cc
= 12 V
（保证未测试）
注意事项：
（1）南磁极朝向象征表面。
欧思保留对以改进设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。
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