HCT7000MTXV 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HCT7000MTXV
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内容描述：	N-沟道增强型MOS利用Transis器 [N- Channel Enhancement Mode MOS Transis tor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 238 K
品牌：	OPTEK [ OPTEK TECHNOLOGIES ]

类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV

电气特性

= 25

C除非另有说明）

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

吨（ON）的

参数

漏源电压

栅极阈值电压

栅极泄漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

漏源电压

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

最小值最大值单位

3.0

±10

2.5

100

测试条件

= 0 V，I

= 10

µA

= V

, I

= 1毫安

= 0 V, V

±15

= 0 V, V

= 48 V

= 10 V, V

= 4.5 V

= 10 V，I

= 0.5 A

= 10 V，I

= 0.5 A

= 10 V，I

= 0.2 A

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1mHz的

Ω

= 15 V，I

= 0.5 A ，V

根

= 10 V ，R

= 25

Ω

（关闭）

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