HL8325G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL8325G是一个高功率0.8
µm
有TQW乐队的GaAlAs激光二极管（三重量子阱）结构。其
内部的电路结构是适合于操作上的一个正电源电压。它适合作为光
源光盘存储器，读卡器和各种其它类型的光学设备。
ODE - 208-048A （ Z）
Rev.1
2007年5月8日
特点
•
红外光输出：
λp
= 820〜 840 nm的
•
高功率：在标准的连续运行
在50毫瓦40毫瓦（ CW） ，脉冲工作
•
内置监控光电二极管
•
单纵模
套餐类型
•
HL8325G ： G2
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
项
光输出功率
脉冲光输出功率
激光二极管的反向电压
光电二极管的反向电压
工作温度
符号
P
O
P
O（脉冲）
V
R（ LD ）
V
R（ PD）的
TOPR
评级
40
50 *
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
注：脉冲条件：脉冲宽度= 1
µs,
占空比= 50 ％
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
项
阈值电流
坡英法fi效率
光束发散角
平行于结
光束发散角
parpendicular到结
Asitgmatism
激光波长
电流监视器
符号
第i个
ηs
θ//
θ⊥
A
S
λp
I
S
民
—
0.4
7
18
—
820
20
典型值
40
0.5
10
22
5
830
40
最大
70
0.9
14
32
—
840
130
单位
mA
毫瓦/ MA
°
°
µm
nm
µA
测试条件
—
24（毫瓦）/（我
(32mW)
– I
(8mW)
)
P
O
= 40毫瓦， FWHM
P
O
= 40毫瓦， FWHM
P
O
= 4毫瓦， NA = 0.4
P
O
= 40毫瓦
P
O
= 4毫瓦，V
R（ PD）的
= 5 V
Rev.1号2007年5月8日第1页4
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