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HL6501MG图片预览
型号: HL6501MG
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内容描述: 可见高功率激光二极管 [Visible High Power Laser Diode]
分类和应用: 半导体光电二极管激光二极管
文件页数/大小: 4 页 / 94 K
品牌: OPNEXT [ OPNEXT. INC. ]
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HL6501MG
可见高功率激光二极管
描述
该HL6501MG是0.65
µm
带的AlGaInP激光二极管(LD)具有多量子阱(MQW )结构。这是
适合作为光源,用于大容量光盘存储器和各种其它类型的光学设备。
小包装( φ5.6毫米)的密封性确保了高可靠性。
ODE - 208-040A ( Z)
Rev.1
2006年12月13日
特点
高输出功率: 35毫瓦( CW)
可见光输出:
λp
= 658 nm的典型
小型封装:
φ
5.6 mm
低度散光: 6
µm
典型值(P
O
= 5毫瓦)
单纵模
套餐类型
HL6501MG : MG
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
符号
光输出功率
P
O
脉冲光输出功率
P
O(脉冲)
LD反向电压
V
R( LD )
PD反向电压
V
R( PD)的
工作温度
TOPR
储存温度
TSTG
注:脉冲条件:脉冲宽度= 100纳秒,占空比为50 %
评级
35
50 *
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
阈值电流
工作电压
坡英法fi效率
光束发散角
平行于结
光束发散角
垂直于该结
散光
激光波长
电流监视器
符号
第i个
V
OP
ηs
θ//
θ⊥
A
S
λp
I
S
30
2.1
0.5
7
18
645
0.05
典型值
45
2.6
0.75
8.5
22
6
658
0.2
最大
70
3.0
1.0
10.5
26
665
1.5
单位
mA
V
毫瓦/ MA
°
°
µm
nm
mA
测试条件
P
O
= 30毫瓦
图18(毫瓦)/(我
(24mW)
– I
(6mW)
)
P
O
= 30毫瓦
P
O
= 30毫瓦
P
O
= 5毫瓦, NA = 0.55
P
O
= 30毫瓦
P
O
= 30毫瓦,V
R( PD)的
= 5 V
Rev.1号2006年12月13日第1页4