MG113P/114P/115P/73P/74P/75P
0.25微米海盖茨和客户结构数组
描述
Oki的0.25微米特殊应用积体电路（ ASIC ）产品中提供了两种海之门
（SOG ）和客户结构阵列（ CSA）的体系结构。两者的SOG系MG115P系列和
基于CSA MG75P系列使用五层金属工艺对0.25μm的绘制（ 0.18微米的L-有效）的CMOS
技术。该SOG MG113P / 114P系列采用了相同的SOG基阵列架构为MG115P
系列，但提供了四个和三个金属层，分别为。该MG73P / 74P CSA系列采用三
四个金属层，分别为。半导体工艺从OKI的生产验证的适应64
兆位DRAM的制造过程。
在0.25微米的家庭提供了显著的性能，密度和比以前提高电源
0.30及0.35微米技术。一个创新的4晶体管单元结构，在从芯片系统的许可，
公司提供以下30〜50 ％的功率为30〜 50％的可用门比传统的电池设计。冲电气
0.25微米的家庭经营采用2.5 V V
DD
内核具有优化的3 -V的I / O缓冲区。的3-，4-，和5层
金属MG113P / 114P / 115P SOG系列包含4个阵列基地，提供高达588 I / O焊盘和过2.4M
生门。的3-，4-，和5层金属MG73P / 74P / 75P的CSA系列包含21个碱基序列，将提供高达
868 I / O焊盘和过5.4M生门。这些SOG和CSA数组的大小被设计为适合最
流行的四方扁平封装（QFP ） ，低轮廓的QFP （ LQFPs ），薄的QFP （ TQFPs ） ，和塑料球栅阵列
（ PBGA ）封装。
该MG113P / 114P / 115P系列SOG架构允许快速成型的周转时间（纹身）
另外，提供用于焊盘受限的电路（特别是3层的最有成本效益的解决方案
金属MG113P系列）。 3层 - 金属MG73P ， 4层金属MG74P和5层 - 金属MG75P CSA
系列包含21阵列基地，提供门和I / O数量比SOG一系列更广泛的范围。冲电气用途
工匠组件的内存编译器，它提供高性能，嵌入式同步
单端口和双端口RAM宏单元的CSA设计。这样， MG73P / 74P / 75P系列适合于
内存密集型的ASIC并在封装尺寸的微调产生显大容量设计
着的成本和房地产的节约。
OKI半导体
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
