半导体¡
MSM5718C50/MD5764802
在这个例子中，三个附加的八字节被从激活页面读取。这些列地址
（ COLB ， COLC ，和冷）转移T中
3
, T
4
和叔
5
上。数据八字节（ DOUTB ，
DOUTc和DOUTd ）被转移T中
6
, T
7
和叔
8
中，数据八字节的结束是由信号
第三个命令R项（读取终止） T中
6
。接下来的REQ数据包可以在T为发送
9
或以任何
此后的时间间隔。
图4（b ）示出一个写事务处理的一个例子。该交易开始在间隔T
0
与
转让REQ数据包。将REQ数据包中包含的命令（ ACTV /写）的装置，银行，
和行地址（ BNK / ROW ）的页面被激活，列地址的第一（可乐）
octbyte要写入到页面。
所选银行执行所选择的行的期间T中的活化
1
和T
2
（经t
RCD
间隔）。
第二个命令WSTRB （写选通）在T被转移
2
并且使得所述第一octbyte
（ DINA ）在t被转移
3
.
在这个例子中，三个附加的八字节被写入到激活页面。这些列地址
（ COLB ， COLC ，和冷）转移T中
2
, T
3
和叔
4
分别。数据八字节（ DINb ，
丁奇和DIND ）被转移T中
4
, T
5
和叔
6
。数据八字节的端部由第三信号
命令WTERM （写终止） T中
6
。接下来的REQ数据包可以在T为发送
7
或以任何
此后的时间间隔。
交错的交易
前面的例子表明非交叉交易 - 下一个REQ数据包转移
之后当前事务的最后一个数据octbyte 。以交错的交易，下一个REQ包
当前事务的第一数据octbyte之前被传送。这使得行与列
下一个事务处理的接入间隔重叠的当前事务的数据传输。
图5示出了交错的读数据的一个例子。第一笔交易进行精确地
作为图4的非交叉存取的例子（一）（第一个事务的所有数据包被标记为“1”） 。
然而， T中
5
对于第二个事务将REQ信息包被传递（第二的所有报文
交易被标以“2”） 。经t
RCD2
和T
CAC2
间隔重叠的DOUT1数据传输
八字节，并由此提高了RDRAM的有效带宽，因为没有未使用
间隔。
一个事务包含一个地址传输阶段和数据传输阶段。在REQ数据包
执行地址转移，剩下的报文进行数据传输（ DOUT ， COL ， RSTRB ，
和R项在读事务的情况下） 。的地址和数据传输之间的时间间隔
当前事务的相位可被调节，以匹配前面的事务的数据长度
（只要行和列访问时间为当前事务中观察到） 。因此，有
关于这可能是交叉存取内存交易的类型没有限制;交易的任何混合
长度和命令类型是允许的。
8/45
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
