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MD56V62400H 参数 Datasheet PDF下载

MD56V62400H图片预览
型号: MD56V62400H
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内容描述: 4 - X银行4,194,304字×4位同步动态RAM [4-Bank x 4,194,304-Word x 4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 28 页 / 299 K
品牌: OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
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半导体¡
AC特性
参数
时钟周期时间
CL = 3
CL = 2
符号
t
CC
t
AC
t
CH
t
CL
t
SI
t
HI
t
OLZ
t
OHZ
t
OH
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RCD
t
WR
t
RRD
t
REF
t
T
l
CCD
l
CKE
l
DOZ
l
国防部
l
DWD
MD56V62400-10
分钟。
10
15
3
3
3
1
3
3
90
30
60
30
15
20
1
1
2
0
0
2
3
2
马克斯。
9
9
8
10
5
64
3
MD56V62400/H
注1,2
MD56V62400-12 MD56V62400H - 15
分钟。
12
17.5
3
3
3
1.5
3
3
115
45
70
35
24
24
t
SI
+ 1 CLK
1
1
2
0
0
2
3
2
马克斯。
10
14
10
10
5
64
3
分钟。
15
15
3
3
3
1
3
3
105
30
70
30
15
24
t
SI
+ 1 CLK
1
1
2
0
0
2
3
2
马克斯。
9
9
8
10
5
64
3
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
周期
周期
周期
周期
周期
周期
周期
周期
3
3, 4
3, 4
从CL = 3访问时间
时钟
CL = 2
时钟"H"脉冲时间
时钟"L"脉冲时间
输入建立时间
输入保持时间
输出低阻抗
从时钟时间
输出高阻抗
从时钟时间
从时钟输出保持
RAS
周期
RAS
预充电时间
RAS
活动时间
RAS
to
CAS
延迟时间
写恢复时间
RAS
to
RAS
银行主动
延迟时间
刷新时间
掉电退出建立时间
输入电平跳变时间
CAS
to
CAS
延迟时间(分钟)
从CKE时钟禁止时间
数据输出高阻抗
从DQM时间
数据输入屏蔽时间从
DQM
从写入数据输入时间
命令
t
PDE
t
SI
+ 1 CLK
数据输出高阻抗
l
从预充电命令时间
ROH
从模式激活指令输入时间
寄存器设置命令输入(最小值)
写命令的输入时间
从输出
l
MRD
l
OWD
8/28