KGF1323C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KGF1323C
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内容描述：	[RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, PLASTIC, 3PMMP, 3 PIN]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 85 K
品牌：	OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]

¡电子元器件

KGF1323

绝对最大额定值

项

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功耗

通道温度

储存温度

符号

合计

英镑

条件

TA = 25°C

TA = TC = 25℃

—

单位

°C

分钟。

—

–6.0

—

–45

马克斯。

0.4

3.0

150

125

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 漏极漏电

漏极 - 源极漏电流

漏电流

栅极 - 源极截止电压

输出功率

漏EF网络效率

线性增益

热阻

符号

GSS

GDO

DS （关闭）

DSS

GS （ OFF ）

LIN

条件

= –6 V

= –16 V

= 10 V, V

= –6 V

= 1.5 V, V

= 0 V

= 3 V，I

= 4.8毫安

(*1), P

= 22 dBm的

(*1), P

= 22 dBm的

(*1), P

= 0 dBm的

渠道情况

单位

DBM

° C / W

分钟。

—

2.0

–3.8

33.0

—

典型值。

—

33.5

15.0

马克斯。

100

500

1500

—

–2.8

—

* 1条件： F = 850兆赫，V

= 5.8 V，I

DSQ

= 240毫安

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