FEDS82V48540-01
OKI半导体
MS82V48540
指令操作
模式寄存器设置命令（ CS ，
RAS ， CAS ， WE
= “低” ）
该MS82V48540有模式寄存器定义的操作模式“ CAS延迟，突发长度，突发
序列“ 。刚过MS82V48540上电模式寄存器设置命令应该被执行。
在输入此命令，所有银行都必须预充电。下一个命令吨后发出
RSC
.
自动刷新命令（ CS ，
RAS ， CAS
= “低” ，
WE
= '高' ）
自动刷新命令执行的地址计数器自动刷新。在刷新操作必须是
执行3,072次内64毫秒，下一个命令吨后发出
RC
从上自动刷新
命令。在输入此命令，所有银行都必须预充电。
自刷新进入/退出命令（ CS ，
RAS ， CAS ， CKE
= “低” ，
WE
= '高' ）
自刷新操作继续自刷新进入命令进入后，用左“低” CKE水平。
此操作终止通过使CKE电平“高” 。通过自动执行自刷新操作
在MS82V48540芯片上的内部地址计数器。
在自刷新模式时，不需要外部刷新控制。在进入自刷新模式下，所有银行都必须
预充电。下一个命令吨后发出
RC
.
单个组预充电命令（ CS ，
RAS ， WE，
A10 / AP = “低” ，
CAS
= '高' ）
在单个组预充电命令触发银行预充电操作。预充电银行被选中BA0和
BA1.
所有银行预充电命令（ CS ，
RAS ， WE
= “低” ，
CAS ，
A10 / AP = “高” ）
在所有银行预充电命令触发所有银行预充电。
如果此命令是在特殊的银行主动模式下执行，特殊银行主动模式被终止。
行激活命令（ CS ，
RAS
= “低” ，
CAS，WE
= '高' ）
该行激活命令激活由BA0和BA1选择银行。该行激活命令对应
传统的DRAM的
RAS
坠落操作。行地址“A0 - A10 ， BA0和BA1 ”被选通。
写命令（ CS ，
CAS，WE ，
A10 / AP = “低” ，
RAS
= '高' ）
开始突发写操作的写命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
带自动预充电命令（ CS写，
CAS，WE
= “低” ，
RAS ，
A10 / AP = “高” ）
带自动预充电命令写入到开始后自动预充电突发写操作是必需的
突发写入。即中断该操作的任何命令不能发出。
读命令（ CS ，
CAS ，
A10 / AP = “低” ，
RAS ， WE
= '高' ）
开始突发读操作的读命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
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