半导体¡
从模式
符号
t
AR
t
AW
t
CW
t
DW
t
RA
t
RDE
t
RDF
t
RSTD
t
RSTS
t
RSTW
t
RW
t
WA
t
WC
t
WD
t
WWS
项
从时间地址或有效
CS
前缘
IOR
前沿
地址有效建立时间
to
IOW
后缘
CS
前沿建立时间
to
IOW
后缘
数据有效建立时间
to
IOW
后缘
地址或
CS
保持时间
to
IOR
后缘
数据访问时间
to
IOR
前沿
延迟时间数据浮动状态
从
IOR
后缘
供应电力前沿的建立
时间到RESET后缘
时间一活动
IOR
or
IOW
从RESET后缘
复位脉冲宽度
IOR
脉冲宽度
地址保持时间
to
IOW
后缘
CS
后缘保持时间
to
IOW
后缘
数据保持时间
IOW
后缘
IOW
脉冲宽度
分钟。
50
130
130
130
0
—
0
500
2t
CY
300
200
20
20
30
160
MSM82C37B-5RS/GS/VJS
（ TA = -40 〜+ 85℃ ，V
CC
= 4.5〜 5.5 V ）
评论
马克斯。
单位
—
—
—
—
—
140
70
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注： 150 （PF ） 1.输出负载电容。
2.
IOW
和
MEMW
吨的脉冲宽度
CY
- 100 （纳秒）为正常书写，和2T
CY
– 100
（ NS ），用于扩展写作。
IOR
和
MEMR
2T的脉冲宽度
CY
- 50（毫微秒），用于正常
定时，和叔
CY
- 50 （ NS）的压缩时间。
3. DREQ和DACK信号有效电平可设置为高或低。在定时
图中， DREQ信号已被设置为高有效，并且DACK信号应用于主动
低。
4.当CPU执行的编程模式连续读或写时，
间隔，在此期间读取或写入脉冲变为有效，必须设定为至少
400纳秒。
5.
EOP
是一个开漏输出。获得给定的值时，一个2.2千瓦的拉
电阻连接到V
CC
.
6.上升时间和下降时间小于10纳秒。
7.波形的测量点为输入和输出信号是2.2 V为高电平
和0.8V，为LOW时，除非另有说明。
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
