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0405SC-2200M 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 0405SC-2200M
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内容描述: 2200Watts ,电压125伏, AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT [2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 229 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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0405SC - 2200米启A1
0405SC-2200M
2200Watts ,电压125伏, AB类
406至450兆赫
碳化硅SIT
初步speci fi cation
概述
该0405SC - 2200米是一个
共栅N沟道耗尽型
AB级碳化硅(SiC )静电感应
晶体管( SIT)
能够提供从RF瓦峰值功率2200
406至450兆赫。该晶体管被设计为在高功率放大器使用
支持的应用,如UHF天气雷达和远距离跟踪
雷达。
该设备是该系列除了高功率硅
碳化硅晶体管从Microsemi的RF是。
案例外形
55TW-FET
(普通门)
绝对最大额定值
电压和电流
漏源(V
DSS
)
门源(V
GS
)
温度
储存温度
工作结温
250V
-1V
-65到+ 150°C
+250°C
电气特性@ 25°C
符号
I
DSS
I
GSS
θ
JC1
特征
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
热阻
测试条件
V
GS
= -20V, V
DG
= 125V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
典型值
最大
750
50
0.15
单位
µA
µA
摄氏度/ W
功能特性@ 25 ° C, VDD = 125V ,我
DQ ( AVE )
= 120毫安,频率= 406 , 425 , 450兆赫,
G
PG
P
in
η
d
ψ
宝+ 1分贝
VGS
共栅极功率增益
输入功率
漏EF网络效率
负载不匹配
输出功率 - 高驱动
门源电压
P
OUT
= 2200瓦,脉冲
脉冲宽度= 300US , DF = 6 %
F = 450兆赫,P
OUT
=2200W
F = 420兆赫,P
OUT
= 2200W
F = 450兆赫,引脚= 490 W¯¯
设置IDQ ( AVE ) = 120毫安
7.0
50
7.5
390
55
2450
3.0
10.0
440
10:1
W
dB
W
%
冯A1
2010年5月
Microsemi的RFIS公司保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息所包含。
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www.microsemi..com
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