0150SC - 1250M版本B
0150SC-1250M
1250Watts ，电压125伏， AB类
150至160兆赫
碳化硅SIT
初步speci fi cation
概述
该0150SC - 1250M是
共栅N沟道AB类硅
硬质合金静电感应晶体管（ SIT）
能够
提供1250瓦的最小射频功率为150到160兆赫。该
晶体管被设计为在高功率放大器支持应用程序使用
如VHF天气雷达和远距离跟踪雷达。
该装置是
在第一个系列高功率碳化硅晶体管从
Microsemi的PPG 。
案例外形
55KT FET
（普通门）
见外形图
绝对最大额定值
电压和电流
漏源（V
DSS
)
门源（V
GS
)
漏电流（ IDG ）
温度
储存温度
工作结温
250 V
- 1V
35A
-65到+ 150°C
+250°C
电气特性@ 25°C
符号
I
dss1
I
GSS
θ
JC1
特征
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
热阻
测试条件
V
GS
= -15V, V
DG
= 95V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
Pout=1250W
民
典型值
最大
750
50
0.15
单位
µA
µA
摄氏度/ W
功能特性@ 25 ° C， VDD = 125V ，我
DQ （ AVG）
= 500毫安，频率= 155 MHz时，
G
PG
P
in
η
d
ψ
宝+ 1分贝
VSG
2008年12月
共栅极功率增益
输入功率
漏EF网络效率
负载不匹配
输出功率 - 高驱动
源极 - 栅极电压
P
OUT
= 1250瓦，脉冲
脉冲宽度= 300US ， DF = 10％
F = 155兆赫，P
OUT
=1250W
F = 155兆赫，P
OUT
= 1250W
F = 155 MHz时，引脚= 190 W¯¯
设置IDQ （ AVG） = 500毫安
9.0
60
9.5
150
160
10:1
dB
W
%
W
伏
1400
3.0
10.0
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