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    MH2101WZ

     Application: Free Wheeling For sale of Bare Die, please contact the specifications in our sales office. Currently, we don't sell Bare Die on the internet distributors now.
    暂无信息
    1 ROHM

    NVMYS1D3N04CTWG

     功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15Ω，252 A
    暂无信息
    1 ONSEMI

    FDD5690

     N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，30A，27mΩ
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    FDD16AN08A0-F085

     N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM329B11H123MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0335C1E9R0CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDY3000NZ

     双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，0.6A，700mΩ
    开关光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GRM3191X1H222JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM21BR72D223KW03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM32ER71E226ME15#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FS150R17N3E4

     EconoPACK™ 3 1700 V，150 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管和NTC 温度检测 。还可提供采用压接技术的型号：FS150R17N3E4_B11.
    双极性晶体管二极管
    0 INFINEON

    NX138BKW

     60 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GRM216B11A224KC01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GQM0335C2D6R0CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM0222C1C8R3DA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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