IRFB16N50K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB16N50K
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内容描述：	低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 [Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement]
分类和应用：	晶体栅极晶体管开关脉冲驱动局域网
文件页数/大小：	7 页 / 2713 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFB16N50K ， SiHFB16N50K

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

单身

特点

500

0.285

•低栅极电荷Q

结果简单驱动

需求

•改进的门，雪崩和动态dv / dt的

耐用性

可用的

RoHS指令*

柔顺

•充分界定电容和雪崩电压

和电流

•低R

DS （ ON）

•铅（Pb），免费提供

TO-220

应用

•开关模式电源（SMPS ）

·不间断电源

N沟道

MOSFET

•高速电源开关

•硬开关和高频电路

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRFB16N50KPbF

SiHFB16N50K-E3

IRFB16N50K

SiHFB16N50K

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

当前

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

dv / dt的

, T

英镑

极限

500

± 30

2.3

310

280

- 55至+ 150

300

1.1

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

= 25 °C

10秒

6-32或M3螺丝

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

B 。起始物为

= 25℃时，L = 2.2毫亨，R

= 25

Ω,

= 17 A.

C.我

≤

17 A， di / dt的

≤

500 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

www.kersemi.com

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