FQU1N60C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQU1N60C
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 824 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

FQD1N60C / FQU1N60C

600V N沟道MOSFET

概述

特点

这些N沟道增强型功率场效应

• 1A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 11.5Ω @V

= 10 V

•低栅极电荷（典型值4.8nC ）

晶体管都采用Corise Semiconductorÿs专有的，

•低的Crss （典型值3.5 pF的）

平面条形， DMOS技术。

•快速开关

这种先进的技术已特别针对

• 100 ％雪崩测试

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

•改进dv / dt能力

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

●

◀

▲

●

D- PAK

FQD系列

I- PAK

摹ð S

FQU系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQD1N60C / FQU1N60C

600

0.6

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)*

功率耗散（T

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

2.8

4.5

2.5

0.22

-55到+150

300

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

典型值

最大

4.53

110

单位

° C / W

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