欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRFZ48V 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ48V图片预览
型号: IRFZ48V
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 2996 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
 浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFZ48V的Datasheet PDF文件第8页  
IRFZ48V  
20  
15  
10  
5
4000  
I
D
=
72A  
V
C
= 0V,  
f = 1 MHZ  
GS  
V
V
V
= 48V  
= 30V  
= 12V  
= C + C , C SHORTED  
DS  
DS  
DS  
is  
gs  
gd ds  
C
C
= C  
rss  
oss  
gd  
= C + C  
ds gd  
3000  
2000  
1000  
Ciss  
Coss  
Crss  
0
1
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
10  
100  
Q
, Total Gate Charge (nC)  
G
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Fig 5. Typical Capacitance Vs.  
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
1000  
1000  
100  
10  
OPERATION IN THIS AREA LIMITED  
BY R  
DS(on)  
°
T = 175 C  
J
10us  
100  
10  
1
°
100us  
T = 25 C  
J
1ms  
1
10ms  
°
T = 25 C  
C
°
T = 175 C  
Single Pulse  
J
V
= 0 V  
GS  
0.1  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.6  
1.0  
1.4  
1.8  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
,Source-to-Drain Voltage (V)  
DS  
SD  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
Forward Voltage  
4
www.kersemi.com