Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
600 V
10050 A
6400 A
Tvj = -40°C... Tvj max
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 126 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
81000 A
70000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
32800 10³A²s
24500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
vF
max.
1,15 V
0,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
mΩ
0,04
A=
B=
C=
D=
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
2000 A ≤ iF ≤ 32000 A
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
max.
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
100 mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
max. 0,0062 °C/W
max. 0,0055 °C/W
thermal resistance, junction to case
ThermischebeEidsiegitige/ tnwos-sicdehd, DaCften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
0,0025
180
°C/W
°C
max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
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case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
40...60
110
F
kN
g
G
typ.
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2011-02-17
revision: 3.0
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IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
A 05/11
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INFINEON [ Infineon ]
