Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
600 V
8000 A
5100 A
Tvj = -25°C... Tvj max
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 118 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
60000 A
52000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
18000 10³A²s
13500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 14 kA
Tvj = Tvj max
vF
max.
1,36 V
0,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
mΩ
0,047
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
A=
B=
C=
D=
6,334E-01
7,077E-06
-2,820E-02
7,553E-03
Durchlaßkennlinie
2000 A ≤ iF ≤ 26000 A
on-state characteristic
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
max.
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
60 mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
max. 0,0094 °C/W
max. 0,0088 °C/W
thermal resistance, junction to case
ThermischebeEidsiegitige/ tnwos-sicdehd, DaCften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
0,003
180
°C/W
°C
max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
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case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
30...45
102
F
kN
g
G
typ.
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2011-02-17
revision: 3.0
A 04/11
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IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
INFINEON [ Infineon ]
