EPA120B-100P
已更新2006年10月30日
高效异质结功率FET
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非密封的100mil金属法兰包装
+ 29.0dBm典型输出功率
11.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 1200 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率和高可靠性
G
D
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 8V ,我
DS
≈
50% I
DSS
增益1dB压缩
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 8V ,我
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
f=12GHz
V
DS
= 8V ,我
DS
≈
50% I
DSS
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 3.0毫安
I
GD
= 1.2毫安
I
GS
= 1.2毫安
民
27.5
8.5
典型值
29.0
29.0
10.0
7.5
41
最大
单位
DBM
dB
%
220
240
-13
-7
360
380
-1.0
-15
-14
45*
500
-2.5
mA
mS
V
V
V
摄氏度/ W
热电阻(的Au-Sn共晶附在后面)
注意:
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-5V
5.4毫安
0.9毫安
26 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
3.0 W
连续
2
8V
-3V
1.8毫安
0.3毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
3.0 W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
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修订后的2006年11月