EPA030D
已更新2004年11月30日
高性能异质结双栅场效应管
特点
•
•
•
•
•
•
•
18.0 dBm的输出功率1dB压缩
19.5分贝功率增益AT 12GHz的
0.3× 300 MICRON嵌“蘑菇”双重门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布现状提供
EXTRA高性能和高可靠性
搅拌机，开关， AGC和温度
补偿的应用
IDSS排序5毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75 ± 13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
NF
Ga
I
DSS
G
M
V
P1
V
P2
BV
G2D
BV
G1S
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS ，
V
G2S =
0V
增益1dB压缩
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS ，
V
G2S =
0V
噪声系数
V
DS
= 3V ，我
DS
≈
15mA
,
V
G2S =
0V
相关的增益
V
DS
= 3V ，我
DS
≈
15mA
,
V
G2S =
0V
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
捏-O FF电压
F = 12GHz的
F = 12GHz的
F = 12GHz的
F = 12GHz的
注意！ ESD敏感器件。
民
15.0
17.5
典型值
18.0
19.5
1.2
17.5
30
40
80
70
-1.5
-1.5
-10
-6
-14
-12
125
o
最大
单位
DBM
dB
dB
dB
V
DS
= 3V, V
G1S
= V
G2S
= 0 V
V
DS
= 3V, V
G1S
= -0.5V
,
V
G2S
= 0 V
V
DS
= 3V ，我
DS
= 1.0毫安
,
V
G2S
= 0 V
V
DS
= 3V ，我
DS
= 1.0毫安
,
V
G1S
= 0 V
115
mA
mS
-3.5
-3.5
V
V
V
V
C / W
门2到漏极耐压
I
G2D
= 1.0毫安
,
1号门打开
1号门至源极击穿电压
I
G1S
= 1.0毫安
,
2号门打开
热阻
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页2
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
修订后的2004年12月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
