Excelics
初步数据表
EPA030B
高性能异质结双栅场效应管
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+ 18.0dBm典型输出功率
19.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 ×300 MICRON嵌“蘑菇”
双门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂
配置文件提供了具有优异性能
和高可靠性
搅拌机，开关， AGC和温度
补偿的应用
IDSS排序5毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
NF
Ga
IDSS
Gm
Vp1
Vp2
BVg2d
BVg1s
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss ， Vg2s = 0V
增益1dB压缩
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss ， Vg2s = 0V
噪声系数
VDS = 3V ， IDS = 15mA时Vg2s = 0V
相关的增益
VDS = 3V ， IDS = 15mA时Vg2s = 0V
饱和漏极电流
跨
VDS = 3V ， Vg1s = -0.5V ， Vg2s = 0V
捏-O FF电压
捏-O FF电压
VDS = 3V ， IDS = 1.0毫安， Vg2s = 0V
VDS = 3V ， IDS = 1.0毫安， Vg1s = 0V
-10
-6
f=12GHz
f=12GHz
f=12GHz
f=12GHz
30
40
民
15.0
17.5
典型值
18.0
19.5
1.2
17.5
80
70
-1.5
-1.5
-14
-12
125
o
最大
单位
DBM
dB
dB
dB
VDS = 3V ， Vg1s = Vg2s = 0V
115
mA
mS
-3.5
-3.5
V
V
V
V
C / W
门2到漏极耐压
Ig2d = 1.0毫安， 1号门打开
1号门至源极击穿电压
Ig1s = 1.0毫安， 2号门打开
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
Excelics半导体公司， 310德Guigne驱动Sunnyvale，CA的94085
电话： （ 408 ） 737-1711传真： （ 408 ） 737-1868网站：
www.excelics.com
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
