EID1415A1-3
已发行： 2009年2月19日
14.40-15.35GHz ， 3瓦的内部匹配功率FET
Excelics
EID1415A1-3
特点
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14.40-15.35GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩34.5 dBm的输出功率
8.0分贝功率增益1dB压缩
30 ％的功率附加效率
全封闭金属法兰包装
YM
SN
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 14.40-15.35GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
700毫安
增益1dB压缩
F = 14.40-15.35GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
700毫安
增益平坦度
F = 14.40-15.35GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
700毫安
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
700毫安
F = 14.40-15.35GHz
漏电流在1dB压缩F = 14.40-15.35GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
注意！ ESD敏感器件。
民
33.5
7.0
典型值
34.5
8.0
+ 0.6
30
750
1040
-1.2
11.0
900
1440
-2.5
12.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
注意事项：
1.测试与100欧姆的栅极电阻。
绝对最大额定值为连续运行
1,2
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
价值
10 V
-3 V
IDSS
20毫安
@ 3分贝压缩
10 W
150°C
-65/+150°C
注意事项：
1.
操作设备以外的任何上述的评分可能导致永久性损坏或减少平均无故障时间。
2.
偏置条件也必须满足下面的等式P
T
< （T
CH
–T
PKG
)/R
TH
;其中t
PKG
=包的温度，
和P
T
= (V
DS
* I
DS
) – (P
OUT
– P
IN
).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
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修订后的2009年2月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
