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     英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
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     N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technologyProduction
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     D921S 飞轮二极管盘具有高可靠性、耐用且密封的陶瓷外壳，外壳直径 100mm，高度 26mm。
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