Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ630N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
350 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Modul / per Module, DC
max. 0,0420 °C/W
max. 0,0405 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
0,01
125
pro Modul / per Module
max.
°C/W
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Eigenschaften
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
6
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
18 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 2750
G
g
Kriechstrecke
36 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
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A 18/00
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