TT 131 N
1250
1000
400
0.1
0.12
R
[°C/W]
thCA
R
[°C/W]
0.04
0.05
0.06
0.08
thCA
0.15
0.2
P
tot
300
P
[W]
0.25
0.3
tot
[W]
750 0.1
0.12
0.15
200
0.4
0.5
0.6
500
0.2
0.25
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
0.8
1.0
100
250
1.5
2.0
3.0
0
0
0
0
100
100
100
200
300
[A]
RMS
400
20
40
60
80
[°C]
20
40
60
80
[°C]
0
100
200
I
300
[A]
400
0
t
t
I
A
A
TT 131 N/8
TT 131 N/7
RMS
Bild / Fig. 8
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the
RMS
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the circuit P
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
circuit P
tot
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
thermal resistance case to ambient R
thCA
4
10
2,5
8
Q
r
2,0
4
I
[µAs]
T(0V)M
[kA]
1,5
2
200 A
100 A
500 A
a
3
10
b
8
6
50 A
20 A
1,0
0,5
4
2
2
0
10
10
2
3
4
5
6
7 8
2
3
4
5
6 7 8
0
1
10
2
10
10
20
40
60 80 100
200
400 600 800 1s
t [ms]
TT 131 N/10
-di/dt [A/µs]
TT 131 N/9
Bild / Fig. 9
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q = f(-di/dt)
Grenzstrom je Zweig I
. Belastung aus Leerlauf, V
= 0,8 V
r
T(OV)M
Maximum overload on- state per arm current I
RM
RRM
t
= t
, v £ 0,5 V
, v = 0,8 V
vj
vjmax
R
RRM RM RRM
. Surge current under
T(OV)M
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
no-load conditions, V = 0,8 V
R
RRM
a - t = 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
A
b - t = 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
A
30
20
100
60
10
5
t
v
[V]
gd
G
d
20
10
[µs]
c
b
a
6
4
2
b
2
a
1
1
0,5
0,6
0,4
0,2
0,1
0,2
0,1
600
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
5
10
20
50 100 200
mA
500
1
2
5
10
20
50
A
A
TT 131 N/11
TT 131 N/12
i
i
G
G
Bild / Fig. 11
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t = f(i )
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v = f(i ), v = 6 V
gd
G
t
= 25°C, di /dt = i /1µs
GM
vj
G
G
G
D
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t [ms] 10
1
0,5
0,1
______________________________g__________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40
80
100 150
________________________________________________________